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MURS360BT3G, SURS8360BT3G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Square
Figure 5. Typical Capacitance Figure 6. Current Derating, Lead
Vr, REVERSE VOLTAGE (V) TC, CASE TEMPERATURE (°C)
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
95 145
155
135
125
115
105
85
75
65
0
1
2
3
4
5
Figure 7. Current Derating, Ambient Figure 8. Typical Forward Power Dissipation
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C) IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
150
125
100
75
50
25
0
0
1
2
3
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
Figure 9. Maximum Forward Power
Dissipation
C, CAPACITANCE (pF)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CUR-
RENT (A)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPA-
TION (W)
TJ
= 25
°C
f = 1 MHz
dc
Square Wave
dc
dc
RJA
= 71
°C/W
RJA
= 120
°C/W
No Heatsink
Square Wave
dc
TJ
= 150
°C
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
P
F(AV)
, AVERAGE POWER
DISSIPATION (W)
Square Wave
dc
TJ
= 150
°C
10
100
1000
10000
10 100 1,000 10,000
I
FSM
, NON
?
REPETITIVE SURGE
CURRENT (A)
tp, SQUARE WAVE PULSE DURATION (s)
Figure 10. Typical Non?Repetitive Surge
Current
*Typical performance based on a limited sample size.
ON Semiconductor does not guarantee ratings not listed
in the Maximum Ratings table.
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